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在图(a)所示电路中，已知MOS管的漏极特性如图(b)所示。试分析当uI分别为3V，8V，12V时，该管处于什么状态。
答案
更多“在图（a)所示电路中，已知MOS管的漏极特性如图（b)所示。试分析当uI分别为3V，8V，12V时，该管处于什么状态。”相关的问题
第1题
图4-45所示为单级MOS放大电路，已知各管参数：gm1=600μS，gm2=200μs，rds1=rds2=1MΩ，η1=η2=0.1，(W/l)1=200/20。(1)指出各电路名称，画出交流通路及交流等效电路；(2) 计算Av=vo/vi和(W/l)2值。
第2题
计算图2．4．10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0．5mA／V2，VP=一2V。
第3题
A.E型NMOS管
B.E型PMOS管
C.D型NMOS管
D.D型PMOS管
第4题
A．图(a)中三极管工作在放大状态
B．图(b)中三极管工作在饱和状态
C．图(c)中三极管工作在截止状态
D．图(d)中三极管已经损坏
第5题
在图4-61所示电路中，各管特性相同，已知|VBE(on)|=0.7V，β=200，试求各管电流及各电阻上电压。
第6题
在图(a)所示电路中，已知三极管发射结正偏时Uon=0.7V，深度饱和时其管压降UCES=0V，β=60°
第7题
在图4-57所示电路中，已知VCC=30V，R=30kΩ，各管的β=100，|VA|=100V，VBE(on)=0.7V。试确定电流源提供的电流I0和T2管的输出交流内阻Ro。
第8题
在图3-7所示电路中，已知各管的IDQ=0.1mA，VGS(th)=2V，μnCox=20μA/V2，l=10μm，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第9题
图4-54所示为E/D MOS差分放大电路，试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi表达式。设各管衬底与地相连，沟道长度调制效应忽略不计。
第10题
在图LP3-4所示电路中，已知各管的IDQ=0．1 mA，VGS(th)=2 V，l=10μm，μnCox=20μA／V2，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第11题
在图4-62所示电路中，已知(W/l)10=1.5/0.3，ID9=2ID5，ID5=ID6=360μA，ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox，|VGS(th)|均相同，沟道长度调制效应忽略不计。
