在图4-61所示电路中,各管特性相同,已知|VBE(on)|=0.7V,β=200,试求各管电流及各电阻上电压。
在图4-61所示电路中,各管特性相同,已知|VBE(on)|=0.7V,β=200,试求各管电流及各电阻上电压。
在图4-61所示电路中,各管特性相同,已知|VBE(on)|=0.7V,β=200,试求各管电流及各电阻上电压。
第1题
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。
第3题
图6-13所示为平方根电路,已知R1=R2=R3=R4,试证。设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同。
第5题
电路如题6-10图所示,所有BJT的β均很大,UBE=0.7V,且VT2、VT3特性相同,电路参数如图。问:(1)VT2、VT3和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)电路中VT1、Re起电平移动作用,保证ui=0时,uo=0。求IBEF、IC3和Re的值。
第6题
在图2-19所示实现平方律运算的电路中,各管有相同的发射结面积,工作在放大区,β很大,且忽略基区宽度调制效应,试证:。
第7题
在图LP2-21所示实现平方律运算的电路中,各管有相同的发射结面积,工作在放大区,β很大,且忽略基区宽度调制效应,试证:IW2=IX2+IY2。
第8题
在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第9题
在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。