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[主观题]

在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试

在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3

在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2

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更多“在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试”相关的问题

第1题

在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效

在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。

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第2题

计算图2.4.10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知

计算图2.4.10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=一2V。

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第3题

计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为

计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。

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第4题

在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽

在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。

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第5题

图4-14所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管β很高,|VBE(on)|=0.7V,输入端VBQ1=0,输出端VOQ=0。若ICQ

图4-14所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管β很高,|VBE(on)|=0.7V,输入端VBQ1=0,输出端VOQ=0。若ICQ4=550μA,VCQ1=14.3V,试求ICQ3及各管VCEQ值。

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第6题

试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ,场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。

试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ,场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。

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第7题

附图1.1(a)、(b)、(c)、(d)所示的四个三极管,已知它们在电路中各极的静态电位,则下列说法中正确的是()。 A.
附图1.1(a)、(b)、(c)、(d)所示的四个三极管,已知它们在电路中各极的静态电位,则下列说法中正确的是( )。

A.图(a)中三极管工作在放大状态

B.图(b)中三极管工作在饱和状态

C.图(c)中三极管工作在截止状态

D.图(d)中三极管已经损坏

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第8题

图所示电路中,已知各电流表读数为则电压源发出的复功率为______。

图所示电路中,已知各电流表读数为则电压源发出的复功率为______。

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第9题

N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2,开启电压VTH=3V,沟道长度调制电压为-

N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2,开启电压VTH=3V,沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值,并画出小信号等效电路,求gm和rds的值。

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第10题

已知图9-16所示电路在开关S闭合以前电路已达稳态,求在t≥0时各支路上的电流响应。

已知图9-16所示电路在开关S闭合以前电路已达稳态,求在t≥0时各支路上的电流响应。

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第11题

试用支路电压法求图3-7所示电路中的U1、U2与U3。

试用支路电压法求图3-7所示电路中的U1、U2与U3

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