在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试
在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
在图3-7所示电路中,已知各管的IDQ=0.1mA,VGS(th)=2V,μnCox=20μA/V2,l=10μm,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第1题
在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第2题
计算图2.4.10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=一2V。
第3题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。
第4题
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。
第5题
图4-14所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管β很高,|VBE(on)|=0.7V,输入端VBQ1=0,输出端VOQ=0。若ICQ4=550μA,VCQ1=14.3V,试求ICQ3及各管VCEQ值。
第6题
试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ,场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。
第7题
A.图(a)中三极管工作在放大状态
B.图(b)中三极管工作在饱和状态
C.图(c)中三极管工作在截止状态
D.图(d)中三极管已经损坏
第9题
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2,开启电压VTH=3V,沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值,并画出小信号等效电路,求gm和rds的值。