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在图3-7所示电路中，已知各管的IDQ=0.1mA，VGS(th)=2V，μnCox=20μA/V2，l=10μm，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
答案
更多“在图3－7所示电路中，已知各管的IDQ=0.1mA，VGS（th)=2V，μnCox=20μA／V2，l=10μm，设沟道长度调制效应忽略不计。试”相关的问题
第1题
在图LP3-4所示电路中，已知各管的IDQ=0．1 mA，VGS(th)=2 V，l=10μm，μnCox=20μA／V2，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第2题
计算图2．4．10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0．5mA／V2，VP=一2V。
第3题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第4题
在图4-62所示电路中，已知(W/l)10=1.5/0.3，ID9=2ID5，ID5=ID6=360μA，ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox，|VGS(th)|均相同，沟道长度调制效应忽略不计。
第5题
图4-14所示为某集成电路的部分内部原理电路，已知各管β很高，|VBE(on)|=0.7V，输入端VBQ1=0，输出端VOQ=0。若ICQ4=550μA，VCQ1=14.3V，试求ICQ3及各管VCEQ值。
第6题
试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ，场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。
第7题
A．图(a)中三极管工作在放大状态
B．图(b)中三极管工作在饱和状态
C．图(c)中三极管工作在截止状态
D．图(d)中三极管已经损坏
第9题
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。
则电压源发出的复功率为______。
