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在图LP3-4所示电路中，已知各管的IDQ=0．1 mA，VGS(th)=2 V，l=10μm，μnCox=20μA／V2，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
答案
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第1题
在图4-62所示电路中，已知(W/l)10=1.5/0.3，ID9=2ID5，ID5=ID6=360μA，ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox，|VGS(th)|均相同，沟道长度调制效应忽略不计。
第2题
图LT3-3所示电路，已知管子开启电压VGS(th)=2 V，器件工作在饱和模式时ID=1 mA，为维持器件工作在饱和模式，试求电阻R的变化范围。
第3题
图4-14所示为某集成电路的部分内部原理电路，已知各管β很高，|VBE(on)|=0.7V，输入端VBQ1=0，输出端VOQ=0。若ICQ4=550μA，VCQ1=14.3V，试求ICQ3及各管VCEQ值。
第6题
图所示正弦稳态电路中，L=10mH，电容C对应的容抗与各电阻R阻值相同，均为10Ω。已知电压表读数为20V，输出电压uo与电流i同相。求电源频率及uS的有效值。
第7题
图57(a)所示电路中，N0为不含任何电源的线性电路，已知is(t)的波形如图57(b)所示，电路零状态响应u(t)的波形如图57(c)所示。已知电路N0可用一阶微分方程描述，时间常数τ=0.8s。试给出电路N0的最简电路结构，并求出各元件的值。
第8题
第10题
如题A-54图N沟道结型场效应管电路，已知两管的夹断电压UpO1=UpO2=1.5V和IDSS1=2mA，IDSS2=1mA，若U1=-4V时，求两管的静态工作点(ID，UDS，UGS)。
第11题
图所示电路中，二极管为理想二极管。试求Is=6mA，Is=-6mA两种情况下，二极管中的电流Id。
则电压源发出的复功率为______。
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