图4-45所示为单级MOS放大电路,已知各管参数:gm1=600μS,gm2=200μs,rds1=rds2=1MΩ,η1=η2=0.1,(W/l)1=200/20。(
图4-45所示为单级MOS放大电路,已知各管参数:gm1=600μS,gm2=200μs,rds1=rds2=1MΩ,η1=η2=0.1,(W/l)1=200/20。(1)指出各电路名称,画出交流通路及交流等效电路;(2) 计算Av=vo/vi和(W/l)2值。
图4-45所示为单级MOS放大电路,已知各管参数:gm1=600μS,gm2=200μs,rds1=rds2=1MΩ,η1=η2=0.1,(W/l)1=200/20。(1)指出各电路名称,画出交流通路及交流等效电路;(2) 计算Av=vo/vi和(W/l)2值。
第1题
图4-54所示为E/D MOS差分放大电路,试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi表达式。设各管衬底与地相连,沟道长度调制效应忽略不计。
第2题
图LT5-2所示放大电路中,试问反馈电路是否合理(单级或两级)?为什么?图中,Rs很小,电容C对信号均可视作短路。
第3题
在题7-20图所示电路中,已知通带放大倍数为2,截止频率为1kHz,C为 1μF。试选取电路中各电阻的阻值。
第4题
已知图2.4.2(a)、(b)所示放大电路中的输入信号vi为小信号正弦波,试分别定性画出它们的输出电压vo的波形。
第5题
在图4-72所示的差分放大电路中,已知I0=4mA,等效电阻REE=300kΩ,等效电容CEE=2pF,电路参数为Rs=830Ω,RC=1kΩ,管子参数为rbb'=50Ω,rb'e=1.3kΩ,Cb'e=5pF,ωT=109rad/s。
第6题
图5-23(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和c决定。已知R1=300kΩ,R2=30kΩ,R3=3kΩ,C1=50pF,C2=C3=5pF,|Av1|=10,|Av2|=|Av3|=102,若把它接成图5-23(b)所示的同相放大电路,为保证反馈放大器稳定工作,可采用简单电容补偿,亦可采用如图5-23(c)所示密勒电容补偿。图中gm2=Av2/R2,试求两种补偿时所需的电容值。设密勒补偿时ωp1≈ωd,各级的输入和输出电阻对电路影响忽略不计。
第7题
A.图(a)中三极管工作在放大状态
B.图(b)中三极管工作在饱和状态
C.图(c)中三极管工作在截止状态
D.图(d)中三极管已经损坏
第8题
图5-4所示放大器电路中,试问反馈电路是否合理(单级或两级),为什么?图中,Rs很小,电容C对信号均可视做短路。
第9题
题A-63图所示为复合管差动放大电路,每个晶体管的参数相同:β=100,rab=0,当Ui=10mV时,求Uo=?
第11题
图4-45(a)中的运算放大器是一个理想模型。设R=10kΩ,C=1μF,uC(0-)=0,输入电压ui(t)的波形如图4-45(b)所示,试定性地绘出输出电压uo(t)的波形。