下图所示的电路中,已知场效应管gm=2mS,IDSS=1mA,UGS(off)=-5V,UDQ=9V,试:
下图所示的电路中,已知场效应管gm=2mS,IDSS=1mA,UGS(off)=-5V,UDQ=9V,试:
下图所示的电路中,已知场效应管gm=2mS,IDSS=1mA,UGS(off)=-5V,UDQ=9V,试:
第1题
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2,开启电压VTH=3V,沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值,并画出小信号等效电路,求gm和rds的值。
第2题
下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试:
第3题
在图1.4.14(a)所示的电路中,已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA,夹断电压VP为一2V,沟道长度调制电压VA=一100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds.
第5题
场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知:UDD=20V,Rg3=51MΩ,Rg1=200kΩ,Rg2=200kΩ,Rs=22kΩ,gm=1mA/V,试计算:
(1) 无自举电容C时,电路的输入电阻Ri;
(2) 有自举电容C时,电路的输入电阻Ri。
第7题
在下图所示放大电路中,已知UDD=12V,RG=1MΩ,RS1=100Ω,RS2=2kΩ,各电容足够大,场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA,夹断电压Up=-5V,gm=1.85mA/V,试求:
第9题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。
第10题
第11题
图题7.30所示场效应管调频电路中,设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1~2mS,线性可变;C的容抗等于R的10倍;若C0=25pF,试求可用的最大频偏。