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放大电路如下图所示，已知gm、β和rbe
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放大电路如下图所示，已知gm、β和rbe
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更多“放大电路如下图所示，已知gm、β和rbe”相关的问题
第2题
共集电路如下图所示，硅管的β=49，rbe=0.9kΩ，试解答：
(1)求出输入电阻Ri；
(2)算出电压放大倍数
第3题
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
第4题
在下图所示放大电路中，已知UDD=12V，RG=1MΩ，RS1=100Ω，RS2=2kΩ，各电容足够大，场效应三极管的饱和电流IDSS=5mA，夹断电压Up=-5V，gm=1.85mA/V，试求：
第5题
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。
第7题
放大电路如下图所示，已知rbb'=150Ω，Cb'c=3pF，Cb'e=25pF，试求放大电路的下限频率fL和上限频率fH。
第8题
放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
第9题
放大电路如下图所示，已知β0=40，Cb'e=3pF，Cb'e=100pF，rbb'=100Ω，rb'e=1kΩ，试估算出该放大电路的上限频率fH。
第10题
四等臂双变电桥放大电路如下图(a)所示。已知R=1kΩ，R1=R(1+x)，R2=R(1-x)，
，R5=R6=10kΩ，E=10V。试求：
第11题
电路如下图所示，电路中JFET T1、T2的gm=1.41mS，λ1=0.01V-1；BJT的Tce4=100kΩ，电流源电流IO=1mA，动态电阻ro=2000kΩ；RL=40kΩ，当vid=40mV，求输出电压vo2、共模电压增益Avc2和共模抑制比KCMR2。
