计算下图（a)、（b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点（VCEQ，ICQ)和FET的工作点（VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为

计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT₂的静态工作点(V_CEQ，I_CQ)和FET的工作点(V_DSQ，I_DQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V²，V_P=-2V。