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（请给出正确答案）
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。
答案
更多“N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA／V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为－”相关的问题
第1题
N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如下图所示。试分别计算当VGS=-1V、VGS=-2V和VGS=-3V时电路的输出电压Vo约为多大？
第4题
绝缘栅场效应管组成图1-15(a)所示，图1-15(b)为其输出特性曲线。试问：
(1) 图1-15(a)中VT管为哪种导电沟道的场效应管？
(2) 要使电路正常工作，VT管应为何种类型的场效应管？
(3) 在图1-15(b)所示曲线和参数条件下，电路能否正常工作？此时VT管处在何种工作状态？
(4) 若将图1-15(a)中VT管改为同样沟道的另一种类型管，电路应作何改动才能正常工作？
第7题
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
第8题
增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强()
第9题
图3-18所示为采用非线性补偿的有源电阻器，N沟道增强型MOSFETT1、T2工作在变阻区，试证明：
第10题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第11题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
