场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知:UDD=20V,Rg3=51MΩ,Rg1=200kΩ,Rg2=200kΩ,Rs=22kΩ,gm=1mA/V,试计算:
场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知:UDD=20V,Rg3=51MΩ,Rg1=200kΩ,Rg2=200kΩ,Rs=22kΩ,gm=1mA/V,试计算:
(1) 无自举电容C时,电路的输入电阻Ri;
(2) 有自举电容C时,电路的输入电阻Ri。
场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知:UDD=20V,Rg3=51MΩ,Rg1=200kΩ,Rg2=200kΩ,Rs=22kΩ,gm=1mA/V,试计算:
(1) 无自举电容C时,电路的输入电阻Ri;
(2) 有自举电容C时,电路的输入电阻Ri。
第1题
试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ,场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。
第2题
下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试:
第3题
电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。
第5题
在图2-27所示网络中,已知C4=C5=0.5F,L6=2H,L1=1H,R2=1Ω,R3=2Ω,is(t)=A,V。(1)绘出电路的有向图并写出其以支路1、2、3为树的基本回路矩阵;(2)计算回路阻抗矩阵,写出回路方程。
第6题
第7题
图题7.30所示场效应管调频电路中,设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1~2mS,线性可变;C的容抗等于R的10倍;若C0=25pF,试求可用的最大频偏。
第8题
图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。
第9题
绝缘栅场效应管组成图1-15(a)所示,图1-15(b)为其输出特性曲线。试问:
(1) 图1-15(a)中VT管为哪种导电沟道的场效应管?
(2) 要使电路正常工作,VT管应为何种类型的场效应管?
(3) 在图1-15(b)所示曲线和参数条件下,电路能否正常工作?此时VT管处在何种工作状态?
(4) 若将图1-15(a)中VT管改为同样沟道的另一种类型管,电路应作何改动才能正常工作?
第10题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若VI=200 mV,μnCoxW/(2l)=0.01mA/V2,VGS(th)=1.5 V,试分别求出VGS=2.5 V、3 V时的VO值,并进行分析。