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[主观题]

在本征半导体中，电子浓度（)空穴浓度。

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发布时间：2022-12-06

更多“在本征半导体中，电子浓度（)空穴浓度。”相关的问题

第1题

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。（)

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。()

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第2题

在OK时，本征半导体的价带完全被电子占据，而导带则完全未被占据，此时的晶体为绝缘体．在较高温度下，价带中的

电子因热激发会跃迁到导带，在价带中留下空穴，晶体就形成半导体．设晶体价带与导带之间的禁带宽度为ε_g，试

证明：温度为T时，本征半导体中电子和空穴的浓度n_e和n_h为

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第3题

设某一样品在温度为T0时测得的霍尔系数R（T0)=0，以及电导率σ（T0)=σ0。在稍微低于T0的温度时所有受主全部电离，

设某一样品在温度为T₀时测得的霍尔系数R(T₀)=0，以及电导率σ(T₀)=σ₀。在稍微低于T₀的温度时所有受主全部电离，空穴浓度达到饱和值p_s=N_a-N_d，这时可认为电子浓度n≈0。当温度升高进入本征区时空穴浓度p=p_s+n，若取T₀时的空穴浓度近似与本征时的相等，试证明

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第4题

当本征半导体温度升高时，电子和空穴的数目都（)。

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第5题

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基

本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。

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第6题

试由霍尔系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍尔系数，N型半导体的霍尔系数，式中np和nn

试由霍尔系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍尔系数，N型半导体的霍尔系数，式中n_p和n_n分别表示空穴或电子的浓度．

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第7题

试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍耳系数，n'型半导体的霍耳系数，式中np

试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍耳系数，n'型半导体的霍耳系数，式中n_p和n_n分别表示空穴或电子的浓度．

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第8题

半导体内有_______和________两种载流子，在本征半导体内这两种载流子的浓度__________。

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第9题

由一块本征半导体锗，测得如下数据： T（K) 333 385 455 566 714 σ（1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400 求

由一块本征半导体锗，测得如下数据：

T(K) 333 385 455 566 714

σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400

求锗的禁带宽度。假设E_g与温度无关，空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T^-3/2。

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第10题

本征半导体中掺入微量()价元素，空穴依度椅大大増加，交神半导体称为()型半导体。

A.三

B.五

C.N

D.P

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第11题

某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为1012cm-3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性？设Eg=1e

V，mn*=mp*=0．2m0

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