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[主观题]
某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为1012cm-3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性？设Eg=1e
V，mn*=mp*=0．2m0
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第2题
一个硅肖特基势垒二极管有0.01cm2的接触面积，半导体中施主浓度为1016cm-3．设ψ0=0.7V，VR=10.3V．计算：
第3题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。
第5题
自由硅表面的施主浓度为1015cm-3，均匀分布的表面态密度为Dss=1011cm-2·eV-1，电中性能级位于Ev+0.3eV．计算该表面的表面势．
[提示]首先求出费米能级与电中性能级之间的能量差，存在于这些表面态中的电荷必定与表面势所承受的耗尽层电荷相等．
第7题
在半导体中，V族杂质原子外层第五个电子的运动，可以看成是在围绕一个正的核电荷+q的圆形轨道上，并穿过具有体介电常数的材料。试证明，如果介电常数为11．7，则只需要有大约0．1eV能量的电子，就能在晶体中自由导电。求基态轨道的半径，从而说明电子是在体介质中运动的假设。材料的晶格常数为
第9题
(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度ND=1012cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到ND=1019cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。
第10题
第11题
制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10-9杂质原子，若将锗的结构看作为立方点阵，晶格常量设为0.5nm，试估计杂质原子之间的距离．
