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[主观题]

在OK时,本征半导体的价带完全被电子占据,而导带则完全未被占据,此时的晶体为绝缘体.在较高温度下,价带中的

电子因热激发会跃迁到导带,在价带中留下空穴,晶体就形成半导体.设晶体价带与导带之间的禁带宽度为εg,试

证明:温度为T时,本征半导体中电子和空穴的浓度ne和nh

在OK时,本征半导体的价带完全被电子占据,而导带则完全未被占据,此时的晶体为绝缘体.在较高温度下,价

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更多“在OK时,本征半导体的价带完全被电子占据,而导带则完全未被占据,此时的晶体为绝缘体.在较高温度下,价带中的”相关的问题

第1题

在绝对零度时,本征半导体中()载流子。

A.有

B.没有

C.少数

D.多数

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第2题

P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得的。()
P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得的。()

A.错误

B.正确

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第3题

在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。

A.四价

B.五价

C.二价

D.三价

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第4题

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为 式中。

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为

式中

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第5题

本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。()
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第6题

主教材表6.8中给出了本征半导体浓度的规律,其中参数a与什么物理量有关?b又与什么物理量有关?
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第7题

本征半导体中掺入微量()价元素,空穴依度椅大大増加,交神半导体称为()型半导体。

A.三

B.五

C.N

D.P

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第8题

设体系的含时Hermite算符满足下式 疗为体系的Hamilton量,则称为含时不变量.设包含在内的一组力学量完全

设体系的含时Hermite算符满足下式

疗为体系的Hamilton量,则称为含时不变量.设包含在内的一组力学量完全集的共同本征态记为|λk,t〉,,λ为的本征值,k标记简并态.证明

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第9题

如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴

如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。

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第10题

在测定半导体霍尔系数的实验中,由外电场εx导入的电流称为原电流,在洛仑兹力和霍尔电场作用下产生了横向电子

在测定半导体霍尔系数的实验中,由外电场εx导入的电流称为原电流,在洛仑兹力和霍尔电场作用下产生了横向电子电流Jey和横向空穴电流Jpy

(1)求平衡时,横向电子电流和空穴电流与原电流之比。

(2)证明,当电子和空穴的电导率相等时,上述比值达到极大值。

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