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(请给出正确答案)
[主观题]
N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如图1.5.10所示。试分别计算当VGS=一1 V、VGS=一2V和VGS=
一3V时电路的输出电压V.约为多大?
答案
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第3题
结型场效应管的伏安特性及对应的混频器电原理图如图所示,其中设本振电压为vLO(t)=VLOcosωLOt,满足线性时变条件。求:
第7题
A.错误
B.正确
第9题
A.错误
B.正确
第10题
有一2CR型硅光电池的交流检测电路,其直流负载电阻Rb=5kΩ,通过耦合电容Cc=5μF与负载电阻RL相连而组成交流负载,若光电池在入射光照度100lx下可产生短路电流0.2mA,如光电池结电容1000pF,结区及表面漏电阻Rs=30kΩ,试计算使负载电阻RL上取得最大功率输出条件下检测电路的中频段光电转换系数和上、下限截止频率?
第11题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。