电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足
电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。
电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。
第1题
由CH55构成的单稳态电路如下图(a)所示,其输入触发信号如图(b)所示,试回答下列各问题:
第2题
测得题图(a)所示网络端口的电压、电流关系如图(b)所示,则其等效为图(c)所示电路中的Us=______,Rs=______。
第3题
(武汉科技大学2004年硕士研究生入学考试试题)图5-31(a)所示的反馈控制系统,其中G1的极坐标图、G2的对数幅频特性分别如图5-31(b)、图5-31(c)所示。
试求:闭环系统的阻尼比。
第4题
已知如图4-64所示电路,us(t)=Uε(t),试选择一电容C,使当t=100ns时,u1变化至其稳定值的90%。
第5题
在图a图中,L=2H,iL(0-)=1A,t=0电压源us对电路激励,us波形如图b所示。对所有t,试用分段计算法计算iL,并画出其波形。
第7题
如图的密码锁是ABCDEFGH为10010110时开锁。若把开锁码改为01011010,问图的电路应如何改动,试画出G1输入侧的电路图。
第8题
(武汉大学2007年考研试题)在如图3一1l所示的电路中,试求:(1)当M为理想电压表时,其读数为多少?(2)当M为理想电流表时,其读数为多少?
第9题
如图电路中,G2=G3=G5=G6=1S,US1=1V,US4=4V,试计算各节点电压。如在节点ac间与US1并接电导G1,在节点bd间与US4并接电流源IS4,重新计算各节点电压,从中你能看出什么问题?