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图3-17所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若V1=200mV，
，VGS(th)=1.5V，试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值，并进行分析。
答案
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第1题
在教材图15.9.10所示的自给偏压偏置电路中，电阻RG起何作用？如果在RG=0(短路)和RG=∞(开路)两种情况下，则后果如何？在教材图15.9.11所示的分压式偏置电路中，RG又起何作用？
第2题
在图4-76所示的共集电极电路中，已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb'=50Ω，rb'e=1.3kΩ，Cb'e=2pF，fT=300MHz。试求高频电压传递函数Avs(s)=Vo(s)/Vs(s)的表示式。
第3题
下图所示电路中，运算放大器为理想的，Rw为电位器。试证明ab间的等效电容Cab=(1-k)C，式中k为电位器Rw的分压系数。
第5题
习题7-9图所示电路中，含源二端网络N通过Ⅱ型衰减电路连接负载RL，现欲使输出电流为N网络端口电流的1/3，负载RL应为多少？
(提示：用电流源I替代N网络，用电流源
第6题
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2，VTH=3V。若输入信号VI=100mV时，要求输出电压Vo=60mV，问此时应给FET加多大的栅极电压VG？
第7题
图所示的555电路的C-U端内部接到分压电阻2VCC/3处，若把用555设计的多谐振荡器的C-U端外接输入电压uI。
第11题
图(a)所示电路，已知线性电阻网络N的Z参数为
则电压源发出的复功率为______。
