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电路如下图所示所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Av。
答案
更多“电路如下图所示所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V－1。场效应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。”相关的问题
第1题
N沟道增强型场效应管的电路如下图所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2，开启电压VTH=3V，沟道长度调制电压为-100V。试计算IDQ和IDSQ的值，并画出小信号等效电路，求gm和rds的值。
第2题
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
第3题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第4题
电路如下图a所示，已知VDD=15V，RG=1MΩ，RS=RL=2kΩ，场效应管IDSS=4mA，UGS(off)=-4V
第5题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第6题
N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如下图所示。试分别计算当VGS=-1V、VGS=-2V和VGS=-3V时电路的输出电压Vo约为多大？
第7题
场效应管分压电路和所用管子的漏极特性曲线如下图所示。假设Ui在0～2V范围内变化时，要求分压比Uo/Ui=0.4，问VGG应选多大？
第8题
欲设计一个带放大器的照度计，其原理电路如下图所示。若已知光电池2CR21的电流灵敏度为SI=7nA/1x·mm2，光敏面积为A=25mm2，而放大器选用输入阻抗高的由场效应管为前级的运算放大器组成，现拟用量程为10V的电压表作照度指示，试计算照度分级为1000lx和100lx二挡下的反馈电阻R1与R2的值？
第9题
场效应管和晶体管构成的两级放大电路如下图所示。已知V1的gm=0.6mA/V，VT2的rbb'=100Ω，UBE=0.7V，β=50，又知RG=1MΩ，RG1=RG2=200kΩ，RD=10kΩ，RS=10kΩ，RE=20kΩ，RB=200kΩ，RL=2kΩ，VCC=+15V。
第11题
电路连接如下图所示。其R1=R2=71.5kΩ，C=0.01μF，VD为理想的二极管；理想运放的供电电压为±15V，其他参数如下图所示。
