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（请给出正确答案）
场效应管分压电路和所用管子的漏极特性曲线如下图所示。假设Ui在0～2V范围内变化时，要求分压比Uo/Ui=0.4，问VGG应选多大？
答案
更多“场效应管分压电路和所用管子的漏极特性曲线如下图所示。假设Ui在0～2V范围内变化时，要求分压比Uo／Ui=0.4，问VG”相关的问题
第1题
N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如下图所示。试分别计算当VGS=-1V、VGS=-2V和VGS=-3V时电路的输出电压Vo约为多大？
第2题
增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强()
第4题
由场效应管组成的差动放大电路如下图所示，T1，T2管的跨导gm=4mA/V，T3、T4管
(1)求输出电压uo值；
(2)若静态漏极电流ID=0.6mA，求R的值。
第7题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第9题
图LP3-15所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若VI=200 mV，μnCoxW／(2l)=0．01mA／V2，VGS(th)=1．5 V，试分别求出VGS=2．5 V、3 V时的VO值，并进行分析。
第11题
计算图2．4．10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0．5mA／V2，VP=一2V。
