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[主观题]

结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。()

结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。（)

A.错误

B.正确

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发布时间：2022-12-04

更多“结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。()”相关的问题

第1题

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。（)

A.错误

B.正确

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第2题

下图是一个由结型场效应管作为偏置电路的电流源电路，偏置电流一般只有几十微安。已知晶体管VT1、VT2、VT3的特

下图是一个由结型场效应管作为偏置电路的电流源电路，偏置电流一般只有几十微安。已知晶体管VT₁、VT₂、VT₃的特性相同，试分析该电路的特殊优点，并推导出I_C1的表达式。

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第3题

结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式。()

结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式。（)

A.错误

B.正确

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第4题

场效应管分压式偏置电路适合于（)场效应管组成的放大电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.增强型和耗尽型

D.以上均不对

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第5题

如题A－54图N沟道结型场效应管电路，已知两管的夹断电压UpO1=UpO2=1.5V和IDSS1=2mA，IDSS2=1mA，若U1=－4V时，求

如题A-54图N沟道结型场效应管电路，已知两管的夹断电压U_pO1=U_pO2=1.5V和I_DSS1=2mA，I_DSS2=1mA，若U₁=-4V时，求两管的静态工作点(I_D，U_DS，U_GS)。

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第6题

N沟道结型场效应管的特性曲线及其组成电路如图1．5．10所示。试分别计算当VGS=一1 V、VGS=一2V和VGS=

一3V时电路的输出电压V.约为多大？

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第7题

放大器中偏置电路的作用是使晶体管或场效应管分别工作在________区或________区。

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第8题

对恒流源而言，下列说法不正确的为()

A.可以用作偏置电路

B. 可以用作有源负载

C. 交流电阻很大

D. 直流电阻很大

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第9题

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（)。

A.正值

B.负值

C.零

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第10题

结型场效应管利用删源极间所加的正偏电压来改变导电沟道的电阻。()

结型场效应管利用删源极间所加的正偏电压来改变导电沟道的电阻。（)

A.正确

B.错误

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第11题

有一2CR型硅光电池的交流检测电路，其直流负载电阻Rb=5kΩ，通过耦合电容Cc=5μF与负载电阻RL相连而组成交流负

有一2CR型硅光电池的交流检测电路，其直流负载电阻R_b=5kΩ，通过耦合电容C_c=5μF与负载电阻R_L相连而组成交流负载，若光电池在入射光照度100lx下可产生短路电流0.2mA，如光电池结电容1000pF，结区及表面漏电阻R_s=30kΩ，试计算使负载电阻R_L上取得最大功率输出条件下检测电路的中频段光电转换系数和上、下限截止频率？

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