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[主观题]

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（)。

A.正值

B.负值

C.零

答案

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发布时间：2022-12-03

更多“N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。”相关的问题

第1题

结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第2题

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。（)

A.错误

B.正确

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第3题

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型( )。

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型（)。

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型()。

A、正确

B、错误

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第4题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（)

A.正确

B.错误

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第5题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（)

A.错误

B.正确

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第6题

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。（)

A.正确

B.错误

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第7题

双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。()

双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。（)

A.错误

B.正确

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第8题

P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。()

P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。（)

A.正确

B.错误

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第9题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第10题

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。（)

A.正确

B.错误

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第11题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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