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[主观题]

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。()

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（)

A.错误

B.正确

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发布时间：2022-12-03

更多“结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。()”相关的问题

第1题

结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第2题

额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。()

额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。（)

T.对

F.错

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第3题

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。

A.必须正偏

B.必须零偏

C.必须反偏

D.可以正偏、零偏或反偏

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第4题

使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（)V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

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第5题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第6题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第7题

双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用，结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出，可以互换使用。()

双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用，结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出，可以互换使用。（)

A.错误

B.正确

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第8题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。（)

A.错误

B.正确

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第9题

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。（)

A.正确

B.错误

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第10题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.源极，栅极，漏极

C.发射极，栅极，集电极

D.发射极，基极，集电极

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第11题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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