主教材图6.18中，n型硅的掺杂浓度ND/cm-3分别为1E17，1.25E18，1.7E19，2.6E20，计算前两个浓度下室温的载流子浓

主教材图6.18中，n型硅的掺杂浓度N_D/cm^-3分别为1E17，1.25E18，1.7E19，2.6E20，计算前两个浓度下室温的载流子浓度n、霍尔系数R₁₁、电子平均自由程l_c以及电阻率ρ。

答案

查看答案

发布时间：2022-12-04

更多“主教材图6.18中，n型硅的掺杂浓度ND/cm-3分别为1E17，1.25E18，1.7E19，2.6E20，计算前两个浓度下室温的载流子浓”相关的问题

第1题

在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为ND=1016cm-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为NA=1018cm-3，计算其接触势φ、耗

在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为N_D=10¹⁶cm^-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为N_A=10¹⁸cm^-3，计算其接触势φ、耗尽层厚度d以及耗尽层电容C₀/A。

点击查看答案

第2题

主教材表6.9中给出了硅中掺杂Ⅲ，V族杂质以后的杂质电离能，根据主教材表6.9中的电离能表达式，计算出其中的有

效质量m^*，这个有效质量与什么有关？并与硅的其他有效质量进行对比。

点击查看答案

第3题

（1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度ND=1012cm-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温

(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度N_D=10¹²cm^-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到N_D=10¹⁹cm^-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。

点击查看答案

第4题

一个N沟道增强型GaAs MESFET在T=300K时，假设=0.89V，导带有效状态密度NC=4.7×1017cm-3，N沟道掺杂浓度为Nd=2×

一个N沟道增强型GaAs MESFET在T=300K时，假设=0.89V，导带有效状态密度N_C=4.7×10¹⁷cm^-3，N沟道掺杂浓度为N_d=2×10¹⁵cm^-3．阈值电压V_TH=0.25V．计算沟道厚度a．注：GaAs相对介电常数k=13.1，ε₀=8.854×10^-12F/m，电子电荷q=1.6×10^-19C．

点击查看答案

第5题

现有3个掺杂砷的n型锗半导体（电离能Ed=0.0127eV)，其杂质浓度ND/cm-3分别为5.5E16，1.7E15，1.4E14，画出三者的

现有3个掺杂砷的n型锗半导体(电离能E_d=0.0127eV)，其杂质浓度N_D/cm^-3分别为5.5E16，1.7E15，1.4E14，画出三者的logn-1/T曲线。

点击查看答案

第6题

主教材图8.6（b)中画出了计算的晶体硅中电子极化的第一个共振频率贡献的介电常数和折射率。若第二个共振峰出

主教材图8.6(b)中画出了计算的晶体硅中电子极化的第一个共振频率贡献的介电常数和折射率。若第二个共振峰出现的频率比第一个共振峰高4/3倍，根据洛伦兹光学模型计算并画出第二个共振峰贡献的介电常数、折射率的实部和虚部，并与主教材图8.6(a)中的实验结果比较。

点击查看答案

第7题

现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n－Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10－3W／cm2

现有一块掺杂浓度N_D=10¹⁶cm²的n-Ge的样品，其厚度d＞＞L_p，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10^-3W/cm²的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10^-3s，电子迁移率μ_n=2800cm²/(V·s)，空穴迁移率μ_p=700cm²/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10^-34J·s，光速C=3×10¹⁰cm/s(如图所示)。