现有3个掺杂砷的n型锗半导体（电离能Ed=0.0127eV)，其杂质浓度ND/cm-3分别为5.5E16，1.7E15，1.4E14，画出三者的

现有3个掺杂砷的n型锗半导体(电离能E_d=0.0127eV)，其杂质浓度N_D/cm^-3分别为5.5E16，1.7E15，1.4E14，画出三者的logn-1/T曲线。