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（请给出正确答案）
一均匀基区硅BJT的基区宽度为0.5μm，基区杂质浓度Na=1016cm-3．若穿通击穿电压期望值为BVBC=25V，集电区掺杂浓度为若干？如果不使集电区穿通，集电区宽度至少应大于多少？(硅相对介电常数k=11.9，ε0=8.85×10-14F/M，q=1.6×10-19C)
答案
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第1题
(1)设ωα和ωβ分别为BJT共基极和共射极截止频率，试证明：
(2)证明：ωT≈hFEωβ≈α0ωα·
(3)根据
第4题
A.正确
B.错误
第5题
在图LP2-21所示实现平方律运算的电路中，各管有相同的发射结面积，工作在放大区，β很大，且忽略基区宽度调制效应，试证：IW2=IX2+IY2。
第6题
A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触，提高电池的开路电压
B. 栅指电极埋入电池表面无遮光，提高短路电流密度
C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合
D. 淡磷扩散减少“死层”的形成，增加对长波的响应
第7题
A.横向电阻
B. 并联电阻
C. 串联电阻
D. 体电阻
