图给出A1、W、NaCl、ZnS、MoSi<sub>2</sub>和BiLi<sub>3</sub>结构的晶胞,图中每种结
图给出A1、W、NaCl、ZnS、MoSi<sub>2</sub>和BiLi<sub>3</sub>结构的晶胞,图中每种结构右边的图是投影图,其中数字表示原子的坐标位置。请指出它们的结构基元(用坐标位置写出)和布喇菲点阵。
图给出A1、W、NaCl、ZnS、MoSi<sub>2</sub>和BiLi<sub>3</sub>结构的晶胞,图中每种结构右边的图是投影图,其中数字表示原子的坐标位置。请指出它们的结构基元(用坐标位置写出)和布喇菲点阵。
第1题
图4-45所示为单级MOS放大电路,已知各管参数:gm1=600μS,gm2=200μs,rds1=rds2=1MΩ,η1=η2=0.1,(W/l)1=200/20。(1)指出各电路名称,画出交流通路及交流等效电路;(2) 计算Av=vo/vi和(W/l)2值。
第2题
在纯碱分析中,得到w(NaCO3)=92.10%,w(NaCl)=1.00%,w(H2O)=6.90%,以干基计算各组分的含量。
第5题
(浙江大学2006年考研试题)非正弦稳态对称三相电路如图13-23所示,A、B、C三相电压为:
功率表W的读数为18W,反映有效值的电压表V的读数为
,反映有效值的电流表A1的读数为
,A2的读数为
,试确定U1、U3、C与RN的值。
第6题
在图(a)所示电路中,已知MOS管的漏极特性如图(b)所示。试分析当uI分别为3V,8V,12V时,该管处于什么状态。
第7题
a.当A1开设最小规模的商店时,平均成本曲线是哪一条?开设最大规模商店时呢? b.在图a中表示出A1的长期平均成本曲线LRAC。 c.如果A1计划每天销售6台缝纫机,A1将开设哪种规模的商店? d.在什么产量范围内,A1缝纫机是规模经济的?规模不经济呢?
第8题
图4-54所示为E/D MOS差分放大电路,试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi表达式。设各管衬底与地相连,沟道长度调制效应忽略不计。
第9题
波像差公式的系数是如何求得的?
W(η,ζ,y)=W(η2+ζ2,y2,ηy)
=a1(η2+ζ2)+a2ηy+b1(η2+ζ2)2+b2yη(η2+ζ2)
+b3y2η2+b4y2(η2+ζ2)+b5y3η
+c1(η2+ζ2)3+c2yη(η2+ζ2)2+c3y2η2(η2+ζ2)
+c4y2(η2+ζ2)2+c5y3η3+c6y3η(η2+ζ2)+c7y4η2
+c8y4(η2+ζ2)+c9y5η+…+更高次项
第10题
图5-1所示为过滤器综合布置图,已知液压泵的流量qp,液压缸两腔面积A1和A2。试确定图中各过滤器的类型及最大通流流量qmax。
第11题
“开关电容”是在集成电路中用来替代电阻的一种基本单元,在图7-24中,开关S1、S2(在集成芯片内由两只MOS晶体管实现)和电容C1组成开关电容用以传送电荷,它们相当于连续系统中的电阻,再与另一电容C2可构成离散系统中的一阶低通滤波器。