场效应管用作放大器时,必须工作在()区域。
A.恒压区
B.截止区
C.恒流区
D.饱和区
A.恒压区
B.截止区
C.恒流区
D.饱和区
第3题
A.晶体管是电流控制器件,场效应晶体管是电压控制器件
B.场效应管组成的放大器不需要直接电源
C.场效应晶体管放大器可以进行电压放大,电流放大和功率放大
D.选用场效应晶体管时,要注意其类型,还要注意电流电压和频率等参数
第4题
图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。
图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表示式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为
。
第9题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第10题
图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。
第11题
A.输入、输出阻抗均很大,输入输出信号同相
B.输入、输出阻抗均很大,输入输出信号反相
C.输入阻抗很大,输出阻抗很小,输入输出信号反相
D.输入阻抗很大,输出阻抗很小,输入输出信号同相