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[单选题]

场效应管共漏极放大器(源极跟随器)的特点是:()

A.输入、输出阻抗均很大,输入输出信号同相

B.输入、输出阻抗均很大,输入输出信号反相

C.输入阻抗很大,输出阻抗很小,输入输出信号反相

D.输入阻抗很大,输出阻抗很小,输入输出信号同相

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更多“场效应管共漏极放大器(源极跟随器)的特点是:()”相关的问题

第1题

结构型场效应管的漏极和源极可以互换使用。()
结构型场效应管的漏极和源极可以互换使用。()

A.正确

B.错误

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第2题

双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用。()
双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用。()

A.错误

B.正确

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第3题

场效应管三个电极分别为()。

A.发射极,基极,集电极;

B.第一基极,发射极,第二基极;

C.源极,栅极,漏极;

D.阴极,门极,阳极。

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第4题

由于结构上的特点,()在内部漏极和源极之间存在一个反并联的体内二极管。

A.晶闸管

B.PowerMOSFET

C.IGBT

D.电力二极管

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第5题

场效应管漏极电流由少子的漂移运动形成。()
场效应管漏极电流由少子的漂移运动形成。()

A.错误

B.正确

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第6题

场效应管的漏极电流是由少子的漂移运动形成。()
场效应管的漏极电流是由少子的漂移运动形成。()

A.正确

B.错误

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第7题

场效应管漏极电流由的漂移运动形成()。

A.少子

B.电子

C.多子

D.两种载流子

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第8题

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第9题

结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第10题

电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()
电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()

A.正确

B.错误

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第11题

场效应管和双极型晶体管相比较,以下属于场效应管的特点的是()。

A.只有一种载流子参与导电,称为单极型

B.自由电子和空穴同时参与导电

C.电压控制型,栅极无电流,驱动电流很小

D.电流控制型,有基极电流,需要一定的驱动电流

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