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[主观题]

P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。()

P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。（)

A.正确

B.错误

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发布时间：2022-12-02

更多“P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。()”相关的问题

第1题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（)

A.错误

B.正确

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第2题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（)

A.正确

B.错误

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第3题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第4题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第5题

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。（)

A.错误

B.正确

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第6题

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型( )。

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型（)。

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型()。

A、正确

B、错误

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第7题

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。（)

A.错误

B.正确

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第8题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。（)

A.错误

B.正确

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第9题

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。（)

A.正确

B.错误

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第10题

对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为伏，而Ge极管的导通电压典型值约为()伏。

A.0.1V

B.0.7V

C.0.3V

D.2.0V

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第11题

对于单向P控制型可控硅而言，从结构原理上可将其分成是()三极管互联。

A.二个NPN

B.二个PNP

C.一个NPN,一个PNP,阳极接PNP的C极

D.一个NPN,一个PNP,阳极接NPN的C极

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