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[主观题]

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。（)

A.错误

B.正确

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发布时间：2022-12-02

更多“P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()”相关的问题

第1题

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。（)

A.正确

B.错误

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第2题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.源极，栅极，漏极

C.发射极，栅极，集电极

D.发射极，基极，集电极

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第3题

电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()

电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。（)

A.正确

B.错误

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第4题

下列表述正确的有()

A.净现值是未来报酬的总现值与原始投资额现值的差额

B.当净现值等于零时，说明此时的贴现率为内涵报酬率

C.当净现值大于零时，获利指数大于1

D.当净现值大于零时，该方案可行

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第5题

下列表述错误的是()。

A.净现值是投资项目预期现金净流量的现值与投资支出的现值相减后的余额

B. 当净现值等于零,说明此时的折现率为内含收益率

C. 当净现值大于零时,盈利指数小于1

D. 当净现值大于零时,说明该方案可行

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第6题

无急回特性的平面四杆机构，其极位夹角为（)。

A.小于0度

B.等于0度

C.大于等于0度

D.大于0度

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第7题

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。（)

A.错误

B.正确

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第8题

空气中爆炸极限为4%～15%的某可燃气体，当其与空气之比为1：5处于密闭容器中时，可能导致爆炸的情况是（)。

A.充入惰性气体

B.充入空气

C.充入可燃性气体

D.充入氧气

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第9题

偏压构件的抗弯承载力()。

A.随着轴向力的增加而增加

B.随着轴向力的减少而增加

C.小偏受压时随着轴向力的增加而增加

D.大偏受压时随着轴向力的增加而增加

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第10题

某城市的最大设计污水量Qmax=0.25m³/s，K总=1.5，若栅前水深h=0.5m，过栅流速取v=0.9m/s，栅条间隙e=30mm，格栅安装倾角α=45°，取栅条宽度S=0.01m，栅槽宽度为（)m。

A.0.63

B.0.4

C.1.2

D.0.15

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第11题

内含报酬率是投资方案现金流量等于零时的折现率。()

内含报酬率是投资方案现金流量等于零时的折现率。（)

A.正确

B.错误

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