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[主观题]

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型( )。

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型（)。

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型()。

A、正确

B、错误

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发布时间：2022-12-02

更多“P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型( )。”相关的问题

第1题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第2题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第3题

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。（)

A.正确

B.错误

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第4题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。（)

A.错误

B.正确

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第5题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（)

A.错误

B.正确

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第6题

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（)

A.正确

B.错误

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第7题

在P型半导体中，（)为多数载流子。在N型半导体中，（)为多数载流子。

A、空穴，空穴

B、空穴，电子

C、电子，电子

D、电子，空穴

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第8题

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（)

A.正确

B.错误

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第9题

补充式合成词分为述补型和动补型两种。()

补充式合成词分为述补型和动补型两种。（)

A.错误

B.正确

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第10题

p轨道的形状是（）

A.球形

B.马鞍状

C.椭圆形

D.哑铃型

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第11题

隔爆型电气设备的防爆标志用字母()标识。

A.p

B.i

C.e

D.d

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