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[主观题]

电路如图L3-13(a)所示,门G1、G2均为CMOS与非门,输入信号v1的波形如图L3-13(b)所示,且有R1C1时间常数大于8倍v

电路如图L3-13(a)所示,门G1、G2均为CMOS与非门,输入信号v1的波形如图L3-13(b)所示,且有R1C1时间常数大于8倍v1的波形宽度tw1,当门G1输出低电平时其输出电阻RD与二极管D导通电阻RON之和很小,满足(RO+RON)C1小于8倍v1的波形宽度tw1,试画出输出端vO的波形。

电路如图L3-13(a)所示,门G1、G2均为CMOS与非门,输入信号v1的波形如图L3-13(b)

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第1题

如图3—7(a)所示的载重汽车,拖车与汽车之间为铰链连接,汽车重G1=30 kN,拖车重G=15 kN,载重FP=80 k

如图3—7(a)所示的载重汽车,拖车与汽车之间为铰链连接,汽车重G1=30 kN,拖车重G=15 kN,载重FP=80 kN,重心位置如图3—7(a)所示。图3—7(b)所示为汽车与拖车连接处的示意图。求静止时地面对A、B、C三轮的约束力。

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第2题

求如图7-30所示连通图G的生成树TG.设有如下“破圈法”: (1)令G=G1,i=1; (2)若Gi无环,则TG=Gi,否则进入(3)

求如图7-30所示连通图G的生成树TG.设有如下“破圈法”:

(1)令G=G1,i=1;

(2)若Gi无环,则TG=Gi,否则进入(3);

(3)在Gi中找出一个环σi,并从中删去边ei,令Gi+1=Gi-ei

(4)i=i+1,返回(2).

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第3题

电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足

电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。

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第4题

图10.41所示电路,电路起始状态为门G1输出高电平门G2输出低电平(Q=0),电容电压uc1=uc2=0,试分析该电路工作过

图10.41所示电路,电路起始状态为门G1输出高电平门G2输出低电平(Q=0),电容电压uc1=uc2=0,试分析该电路工作过程,画出Q,电位变化波形图。

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第5题

电路如下图(a)所示,其中G0,G1,G2,…,GN为TTL同系列与非门,它们的输入特性和输出特性分别如下图(b)、(c)和(d)

电路如下图(a)所示,其中G0,G1,G2,…,GN为TTL同系列与非门,它们的输入特性和输出特性分别如下图(b)、(c)和(d)所示。受功耗的限制,规定高电平输出电流不能超过400μA。已知G0的输出电平满足VoH≥3.2V,VoL≤0.25V。问G0最多可以驱动多少个负载门?

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第6题

在图中所示逻辑电路中,若门A、B及C的传输延迟范围如图中所注,试决定该电路的总传输延迟范围是多少。

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第7题

在图a稳态电路中,G=1S,C=3/8F,L=8/3H,电流源波形如图b所示,试完成下列各项: (1)计算电压u;(2)确定电压表读

在图a稳态电路中,G=1S,C=3/8F,L=8/3H,电流源波形如图b所示,试完成下列各项: (1)计算电压u;(2)确定电压表读数:

(3)确定功率表读数P。

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第8题

电路如图L10-1(a)所示,为一由TTL门构成的施密特电路。分析其工作原理,求其VT+、VT-及△VT的一般表达式。当R1=0.

电路如图L10-1(a)所示,为一由TTL门构成的施密特电路。分析其工作原理,求其VT+、VT-及△VT的一般表达式。当R1=0.5kΩ,R2=1kΩ时,输入波形vA如图L10-1(b)所示,画出整形后的输出波形(二极管D为开关二极管,设其导通时导通电阻约为零)。

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第9题

在图3—21所示逻辑电路中,若门A、B及C的传输延迟范围如图中所注,试决定该电路的总传输延迟范围是多
少。

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第10题

试证明两个回转器级联后[如图(a)所示].可等效为一个理想变压器[如图(b)所示],并求出变比n与两个回转器的回

试证明两个回转器级联后[如图(a)所示].可等效为一个理想变压器[如图(b)所示],并求出变比n与两个回转器的回转电导g1和g2的关系。

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第11题

(武汉科技大学2004年硕士研究生入学考试试题)图5-31(a)所示的反馈控制系统,其中G1的极坐标图、G2

(武汉科技大学2004年硕士研究生入学考试试题)图5-31(a)所示的反馈控制系统,其中G1的极坐标图、G2的对数幅频特性分别如图5-31(b)、图5-31(c)所示。

试求:闭环系统的阻尼比。

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