电路如图L10-1(a)所示,为一由TTL门构成的施密特电路。分析其工作原理,求其VT+、VT-及△VT的一般表达式。当R1=0.
电路如图L10-1(a)所示,为一由TTL门构成的施密特电路。分析其工作原理,求其VT+、VT-及△VT的一般表达式。当R1=0.5kΩ,R2=1kΩ时,输入波形vA如图L10-1(b)所示,画出整形后的输出波形(二极管D为开关二极管,设其导通时导通电阻约为零)。
电路如图L10-1(a)所示,为一由TTL门构成的施密特电路。分析其工作原理,求其VT+、VT-及△VT的一般表达式。当R1=0.5kΩ,R2=1kΩ时,输入波形vA如图L10-1(b)所示,画出整形后的输出波形(二极管D为开关二极管,设其导通时导通电阻约为零)。
第1题
(中国矿业大学2008年考研试题)如图3一77所示电路受控源的电压为()。
A.一6V
B.6V
C.5V
D.一5V
第2题
电路如图10-4所示,负载为一反电势负载,电抗器的L足够大,电流iL的波形接近一水平线,电源电压U2为220V,α=90。,负载电流为50A。试选择晶闸管和二极管。
输出直流电压;
第4题
如图13.8.7所示电路处于正弦稳态中,已知:uS为一正弦电压源R1、C均为定值,R可变。试指出R从0变到∞时,uab的有效值及相位的变化情况。
第5题
电路仍如图8-15所示,s由“2"转掷“1”以后,表
的指针偏转情况是()。(换路前的电路处于稳态)
A.指针迅速向正刻度方向偏转,然后逐渐回落至零位
B.指针迅速向负刻度方向偏转,然后逐渐回落至零位
C.指针向正刻度方向偏转,最终示数为0.2A
D.指针向负刻度方向偏转,最终示数为0.2A
第7题
已知如图4-64所示电路,us(t)=Uε(t),试选择一电容C,使当t=100ns时,u1变化至其稳定值的90%。
第8题
由CH55构成的单稳态电路如下图(a)所示,其输入触发信号如图(b)所示,试回答下列各问题:
第9题
(南京航空航天大学2007年考研试题)如图5一33所示电路的U1和U2值应分别是()。
A.4V,10V
B.4V,一10V
C.一4V,10V
D.一4V,一10V
第10题
(华北电力大学<保定>2008年考研试题)如图14—57所示电路中,us(t)=6ε(一t)+2ε(t)V。求t≥0时的电容电压uc(t)。
第11题
若有一Q开关使激光器的阈值反转粒子数密度由(如下图(a)所示),激光器相继产生两个巨脉冲(如图(b)所示),若在t=0时的反转粒子数密度为△ni,比值△ni/=β=4,如欲使两脉冲能量E1=E2,求值。