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[主观题]

杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为()。

杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（)。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.电子型半导体

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发布时间：2022-12-09

更多“杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为()。”相关的问题

第1题

在本征半导体中，电子浓度（)空穴浓度。

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第2题

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。（)

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。()

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第3题

本征半导体电子浓度和空穴浓度是()

A.电子浓度>空穴浓度

B.相等的

C.电子浓度<空穴浓度

D.费米能级通常在带隙中央附近

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第4题

用外延生长和杂质高温扩散工艺制造一个二极管。基片n型Si的浓度是均匀的。外延生长层的浓度ND2也是

均匀的。硼扩散的浓度表面高，里面低。如图3—5(d)所示的分布。在xj处NA=ND2。B点的硼浓度为NAB，具体数值均如图3—5所示。已知室温时Nc=2．8×1019cm-3，Nv=1．1×1019cm-3，ni=1．3×1010cm-3；500K时Eg=1．0eV，试回答下列问题。

(1)求300K时扩硼前n区(外延层)费米能级EF的位置及电子和空穴的浓度。 (2)试求室温时B点的EF的位置及电子和空穴的浓度。 (3)在500K时B点处的电子浓度和空穴浓度各是多少？

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第5题

在OK时，本征半导体的价带完全被电子占据，而导带则完全未被占据，此时的晶体为绝缘体．在较高温度下，价带中的

电子因热激发会跃迁到导带，在价带中留下空穴，晶体就形成半导体．设晶体价带与导带之间的禁带宽度为ε_g，试

证明：温度为T时，本征半导体中电子和空穴的浓度n_e和n_h为

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第6题

试由霍尔系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍尔系数，N型半导体的霍尔系数，式中np和nn

试由霍尔系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍尔系数，N型半导体的霍尔系数，式中n_p和n_n分别表示空穴或电子的浓度．

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第7题

试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍耳系数，n'型半导体的霍耳系数，式中np

试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍耳系数，n'型半导体的霍耳系数，式中n_p和n_n分别表示空穴或电子的浓度．

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第8题

依据掺入杂质的性质不同，杂质半导体可分为()。

A.空穴型半导体

B.电子型半导体

C.中性半导体

D.PNP型半导体

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第9题

P型半导体是在本征半导体中掺入受主杂质在扩散作用下形成的，其特征为()

A.多数载流子是空穴

B.少数载流子是电子

C.费米能级在价带顶之上

D.费米能级的位置在本征费米能级之下

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第10题

P型半导体中的自由电子浓度（)空穴浓度。

A、大于

B、小于

C、等于

D、大于或等于

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第11题

神经递质比激素的浓度高得多。（)

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