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[主观题]

试证明:在晶体中 (1)电子的本征能量En(k)是k的偶函数,即 En(-k)=En(k) (2)在布里渊区的边

试证明:在晶体中 (1)电子的本征能量En(k)是k的偶函数,即 En(-k)=En(k) (2)在布里渊区的边界处,即在k0=π/(n=±1,±2,…)处 un(0)=0

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更多“试证明:在晶体中 (1)电子的本征能量En(k)是k的偶函数,即 En(-k)=En(k) (2)在布里渊区的边”相关的问题

第1题

在OK时,本征半导体的价带完全被电子占据,而导带则完全未被占据,此时的晶体为绝缘体.在较高温度下,价带中的
电子因热激发会跃迁到导带,在价带中留下空穴,晶体就形成半导体.设晶体价带与导带之间的禁带宽度为εg,试

证明:温度为T时,本征半导体中电子和空穴的浓度ne和nh

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第2题

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为 式中。

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为

式中

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第3题

苯的“自由电子模型”把电子看成在一个环形势场中运动,并受到具有C6对称性的微扰作用.

苯的“自由电子模型”把电子看成在一个环形势场中运动,并受到具有C6对称性的微扰作用.

(a)不计及微扰作用时,可以认为电子是在半径为R的环上自由运动。写出能量本征值与本征函数,作为零级近似。

(b)微扰可以表示成,试研究它对各能级的影响(一级修正),特别是要找出发生分裂的能级。

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第4题

假设半导体晶体受到电场E和磁场B的作用,且E在x-y平面上,B沿z方向,试在计入磁场对电子的各级作用下,推导半导
体电子在电磁场中的分布函数。
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第5题

教材一(4)中,证明变分法时所用变分函数是能量本征态的线性组合,但分子轨道变分函数却选用原子轨道的线性组

教材一(4)中,证明变分法时所用变分函数是能量本征态的线性组合,但分子轨道变分函数却选用原子轨道的线性组合,请问这是否矛盾?

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第6题

设有两个独立的谐振子(即两类声子)组成一个体系,以n1、n2分别表示二者的量子数(声子数),以、a1、、a2表示量子数

设有两个独立的谐振子(即两类声子)组成一个体系,以n1、n2分别表示二者的量子数(声子数),以、a1、a2表示量子数升、降算符(即两类声子的产生、湮没算符),表示粒子数算符.粒子数表象中的归一化本征态记为|n1n2〉.令

(σ为Pauli矩阵)

即令

(1)

再令

(2)

试证明这样定义的算符满足角动量算符的全部代数性质,并求出J2、Jz的本征值和共同本征态.

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第7题

一双能级系统的能量分别为E1和E2,对应的本征态为φ1和φ2,受到周期性微扰作用,在能量表象中微扰矩
阵为

.设初始时刻系统处于状态φ1,求经过时间t后跃迁到状态φ2的概率.

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第8题

证明当时,晶体中e光线与波法线间的夹角α有最大值,若入射光是钠荧光,试求出方解石晶体。中α角的最大值。

证明当时,晶体中e光线与波法线间的夹角α有最大值,若入射光是钠荧光,试求出方解石晶体。中α角的最大值。

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第9题

电荷为q的谐振子,t<0和t>τ时处于自由振动状态,总能量算符为 (1) 能量本征态记为ψn,能级.当0≤t≤τ,外加均

电荷为q的谐振子,t<0和t>τ时处于自由振动状态,总能量算符为

(1)

能量本征态记为ψn,能级.当0≤t≤τ,外加均匀电场,总能量算符变成

(2)

H的本征态记为φn,本征值为En

设t≤0时该谐振子处于基态ψ0,求t>τ时的波函数ψ(x,t),以及ψ(x,t)中各能量本征态ψn的成分.

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第10题

在原子核(电荷Ze)周围运动的N电子体系,忽略自旋和相对论效应后,总能量算符可以写成 H=T+V (1) 其中 ,

在原子核(电荷Ze)周围运动的N电子体系,忽略自旋和相对论效应后,总能量算符可以写成

H=T+V (1)

其中

(2)

(3)

对于体系的任何一个束缚态,证明位力定理:

(4)

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第11题

在光导电体两端加一定电压的情况下,光照射时,假如单位时间内整个光导电体中产生F个电子(空穴忽略),试证明光

在光导电体两端加一定电压的情况下,光照射时,假如单位时间内整个光导电体中产生F个电子(空穴忽略),试证明光电流△I(光照射时,电流增加部分称为光电流)可由下式得出

△I=e·G·F

其中

为增益系数,τn为电子的寿命,t为所产生的电子飞越电极间所需要的时间。

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