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在图所示的场效应管放大电路中，已知耗尽型绝缘栅场效应管3D01E的UGS(off)=-2.5V，IDSS=0.5mA，电路元件参数如图所注。试求其静态工作点的ID、UDS和UGS值。
答案
更多“在图所示的场效应管放大电路中，已知耗尽型绝缘栅场效应管3D01E的UGS（off)=－2.5V，IDSS=0.5mA，电路元件参数如”相关的问题
第1题
场效应管放大电路如题2-27图所示。已知Rs=10kΩ，Rd=20kΩ，Rg=RL=100kΩ,，gm=0.5mS。(1)分别画出Rf=0和Rf≠0时的微变等效电路。(2)求Rf=0和Rf=1kΩ时的电压放大倍数Au。
第3题
计算图2．4．10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0．5mA／V2，VP=一2V。
第4题
在图1．4．14(a)所示的电路中，已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA，夹断电压VP为一2V，沟道长度调制电压VA=一100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds.
第5题
图3-17所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若V1=200mV，
，VGS(th)=1.5V，试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值，并进行分析。
第6题
在题7-20图所示电路中，已知通带放大倍数为2，截止频率为1kHz，C为 1μF。试选取电路中各电阻的阻值。
第7题
图LP3-15所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若VI=200 mV，μnCoxW／(2l)=0．01mA／V2，VGS(th)=1．5 V，试分别求出VGS=2．5 V、3 V时的VO值，并进行分析。
第8题
在图4-72所示的差分放大电路中，已知I0=4mA，等效电阻REE=300kΩ，等效电容CEE=2pF，电路参数为Rs=830Ω，RC=1kΩ，管子参数为rbb'=50Ω，rb'e=1.3kΩ，Cb'e=5pF，ωT=109rad/s。
第9题
在图7-23所示电路中，已知通带放大倍数为2，截止频率为1kHz，C=C1=C2取值为1μF。试选取电路中各电阻的阻值。
第10题
图场效应管和硅三极管组成的两级放大电路，已知场效应管的参数为：gm=0.6mS，三极管的β=100，hbe=1kΩ。并已知Rg=1MΩ，Rg1=Rg2=200kΩ，Rd=10kΩ，Rs1=1kΩ，Rs2=10kΩ，Re=2kΩ，RL=20kΩ。试计算
和Ro。
第11题
场效应管和晶体管构成的两级放大电路如下图所示。已知V1的gm=0.6mA/V，VT2的rbb'=100Ω，UBE=0.7V，β=50，又知RG=1MΩ，RG1=RG2=200kΩ，RD=10kΩ，RS=10kΩ，RE=20kΩ，RB=200kΩ，RL=2kΩ，VCC=+15V。
