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场效应管放大电路如题2-27图所示。已知Rs=10kΩ，Rd=20kΩ，Rg=RL=100kΩ,，gm=0.5mS。(1)分别画出Rf=0和Rf≠0时的微变等效电路。(2)求Rf=0和Rf=1kΩ时的电压放大倍数Au。
答案
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第1题
场效应管自举电路如图2-27(a)所示。已知：UDD=20V，Rg3=51MΩ，Rg1=200kΩ，Rg2=200kΩ，Rs=22kΩ，gm=1mA/V，试计算：
(1) 无自举电容C时，电路的输入电阻Ri；
(2) 有自举电容C时，电路的输入电阻Ri。
第2题
如题A-54图N沟道结型场效应管电路，已知两管的夹断电压UpO1=UpO2=1.5V和IDSS1=2mA，IDSS2=1mA，若U1=-4V时，求两管的静态工作点(ID，UDS，UGS)。
第3题
在图2-27所示网络中，已知C4=C5=0.5F，L6=2H，L1=1H，R2=1Ω，R3=2Ω，is(t)=
第4题
电路如题A36图所示。其中
(1) 试画出交流等效电路(可忽略
(2) 若
第5题
电路如题2-25图所示，已知IDSS=2mA，Up=-5V。求(1)Q点；(2)Ri和Ro；(3)Au和Aus。
第6题
已知题1．25图(a)所示电路中非线性电阻的伏安特性如题1．25图(b)所示。试求R2中的电流及两端电压。
第7题
如题6-18图所示的放大电路中，试求：(1)在ΔUs=0时，Uo=5.1V；当ΔUs=16mV时，Uo=9.2V，问电压增益是多少？(2)如果ΔUs=0，由于温度的影响，Uo由5.1V变到4.5V，问折合到输入端的零点漂移电压ΔUi为多少？
第8题
场效应管和晶体管构成的两级放大电路如下图所示。已知V1的gm=0.6mA/V，VT2的rbb'=100Ω，UBE=0.7V，β=50，又知RG=1MΩ，RG1=RG2=200kΩ，RD=10kΩ，RS=10kΩ，RE=20kΩ，RB=200kΩ，RL=2kΩ，VCC=+15V。
第9题
电路如题5．38图所示，已知R=1 Ω，C=0．5 F。若以u1(t)为输入，u2(t)为输出，求
第10题
时，向可控硅T送入触发脉冲，则输出电压uo的有效值为( )A．
B．
C．110V
D．220V
第11题
图场效应管和硅三极管组成的两级放大电路，已知场效应管的参数为：gm=0.6mS，三极管的β=100，hbe=1kΩ。并已知Rg=1MΩ，Rg1=Rg2=200kΩ，Rd=10kΩ，Rs1=1kΩ，Rs2=10kΩ，Re=2kΩ，RL=20kΩ。试计算
和Ro。
