若一个n型半导体的施主能级离导带底距离为Ed,Nd,nd和n分别表示单位体积中施主、施主能级上电子和导带电子的
若一个n型半导体的施主能级离导带底距离为Ed,Nd,nd和n分别表示单位体积中施主、施主能级上电子和导带电子的数目,证明
式中,;m*是导带电子的有效质量。
若一个n型半导体的施主能级离导带底距离为Ed,Nd,nd和n分别表示单位体积中施主、施主能级上电子和导带电子的数目,证明
式中,;m*是导带电子的有效质量。
第1题
N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ].
A.有特殊的价带,电子易于跃迁
B.有特殊的导带,电子易于跃迁
C.有施主能级,电子易于跃迁
D.有受主能级,电子易于跃迁
第2题
用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg>hν>qφe(φB为接触电势差),则在金属层内产生的光生电子,有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α,金属膜的厚度为l,则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证:
第3题
A.P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电
B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电
C.P型半导体和N型半导体本身都不带电
D.P、N型半导体都带负电
第5题
证明:温度为T时,本征半导体中电子和空穴的浓度ne和nh为
第6题
A.在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体
B.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电
C.PN结在无光照、无外加电压时结电流为零
D.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的
第8题
若气体工作物质具有E2、E1二能级(统计权重相等),二能级的粒子数密度分别为n2≈0,n1=1018cm-3,E2能级的自发辐射寿命=10-4s。若吸收曲线为高斯型,线宽400cm-1,中心频率=3×1014HZ。试求频率为的弱光束穿过厚度d=1cm的上述介质时,光强衰减了多少dB。