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[主观题]

设α1，α2，…，αs∈Kn，说明ai∈（α1，α2，…，αs)，i=1，2，…，s

设α1，α2，…，αs∈Kn，说明ai∈(α1，α2，…，αs)，i=1，2，…，s

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发布时间：2022-12-04

更多“设α1，α2，…，αs∈Kn，说明ai∈（α1，α2，…，αs)，i=1，2，…，s”相关的问题

第1题

求作下列图形的对偶图形．在欧氏平面内已知A（ai)、B（bi)（i＝1，2，3)，为两个不同点且a3＝b3＝1．

在欧氏平面内已知A(ai)、B(bi)(i＝1，2，3)，为两个不同点且a3＝b3＝1． (1)说明la＋mb一点中Z，m的几何意义． (2)说明la＋mb，ma＋lb两点的位置关系．

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第2题

设1＜P＜∞，1/p+1/q=1且{kn}是中的序列。若对lp中每个x，∑kjx（j)均收敛，证明{kn}∈lp

设1＜P＜∞，1/p+1/q=1且{k_n}是中的序列。若对l^p中每个x，∑k_jx(j)均收敛，证明{k_n}∈l^p

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第3题

设α=(2 3 1 4)∈S₄，则α⁻¹=(1 2 3 4)，α²=(1 2)(3 4)。()

设α=（2 3 1 4)∈S₄，则α⁻¹=（1 2 3 4)，α²=（1 2)（3 4)。（)

A、错误

B、正确

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第4题

在图GCL并联电路中，设G=4S，C=1F，L=1／4H，试就下列情况计算电路ab端的λ值：（1)ω=1rad／s；（2)ω=4md／s。

在图GCL并联电路中，设G=4S，C=1F，L=1/4H，试就下列情况计算电路ab端的λ值：(1)ω=1rad/s；(2)ω=4md/s。

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第5题

设α∈Cc∞（Rn)使得0≤β≤1，（单位球)，并且α（0)=1，又设（xj)是Rn的一列元素，满足|xj|+2≤|xj+1|定义证明：r（x)∈S

设α∈C_c^∞(Rⁿ)使得0≤β≤1，(单位球)，并且α(0)=1，又设(x_j)是Rⁿ的一列元素，满足|x_j|+2≤|x_j+1|定义

证明：r(x)∈S(Rⁿ)

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第6题

在图中，设电压源对C激励，且有C=2F，对所有t，uc（t)=3sinωtV，试就：（1)ω=4rad／s；（2)ω=4×103rad／s，计算电流ic（

在图中，设电压源对C激励，且有C=2F，对所有t，u_c(t)=3sinωtV，试就： (1)ω=4rad/s； (2)ω=4×10³rad/s，计算电流i_c(t)。

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第7题

设ai≥0，bi≥0（i=1，2，…，n)．又k＞1，k'＞1且，则

设a_i≥0，b_i≥0(i=1，2，…，n)．又k＞1，k'＞1且，则

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第8题

设α1，α2，…，αp为p个任意正数，又设fv（t)=1αv-1·t+2αv-1·t2+…+nαv-1·tn+…,（v=1,2,…,p) 试证：此处多重积分的积

设α₁，α₂，…，α_p为p个任意正数，又设f_v(t)=1^α_v-1·t+2^α_v-1·t²+…+n^α_v-1·tⁿ+…,(v=1,2,…,p)

试证：此处多重积分的积分区域S为由下列条件所规范：

S: x₁≥0, x₂≥0,…,x_p-1≥0,x₁+x₂+…+x_p-1≤1.

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第9题

在图b中，设L=1H，iL（t)=1＋2t A，试计算：（1)t=2s时L中的储能；（2)（0，2s)内L中的储能。

在图b中，设L=1H，i_L(t)=1+2t A，试计算：(1)t=2s时L中的储能； (2)(0，2s)内L中的储能。

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第10题

设有下列文法G[S]： S→A ① A→A＋A｜B＋＋ ②｜③注意：产生式中每个“＋”都是一个独立的单词。

B→a ④ (1)给出句子a＋＋＋a＋＋的规范推导和分析树。 (2)按照表5-1给出的，文法G[s]的LR分析表和表5—2给出的表示形式描述句子a＋＋＋a＋＋的SLR(1)分析过程。

(3)设文法G[S]的LR(1)有效项目为： I＝[S→.A，] 求closure({I})。 (4)设LR(1)项目集中有一状态Si： Si＝{[A→A＋A.，＋／]，[A→A.＋A，＋／]} 求go(Si，＋)。

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第11题

设k（s，t)为单位正方形[0，1]×[0，1]上的纯量连续函数，k不恒为0，且任取s，t∈[0，1]有k（s，t)=k（t，s)。设A定义在L2[

设k(s，t)为单位正方形[0，1]×[0，1]上的纯量连续函数，k不恒为0，且任取s，t∈[0，1]有k(s，t)=k(t，s)。设A定义在L²[0，1]为

，0≤s≤1， x∈L²[0，1]。

求证：存在非零实序列{λ_n}，存在由[0，1]上的连续函数组成的标准正交序列{u_n}，使得对x∈L²[0，1]

其中，若上述级数为无穷级数，则这个级数对0≤s≤1一致收敛。证明∑|λ_n|²＜∞

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