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已知NiO的禁带宽度Eg=1.8eV．若在本征导电区电阻率
，计算由300K到310K电阻的平均温度系数(即温度变化1℃时电阻相对变化值．)
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第1题
已知NiO的禁带宽度Eg=1.8eV，若在本征导电区电阻率
，计算由300K到310K电阻的平均温度系数(即温度变化1℃时电阻的相对变化值)．
第2题
已知发光二极管LED发出最大辐射出射度对应的波长为0.92μm，试求出该LED材料的禁带宽度Eg？
第3题
金属钡(Wm=2.48eV)表面受到紫色光(λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置中，如果光由正面照射，且hν＞qΦns将产生怎样的结果；此时若金属层很薄，且hν＞Eg(半导体禁带宽度)，其结果又如何？请解释如何用这一方法来测量金属半导体接触时金属一边的势垒高度。
第4题
(1)若已知发射结电压VBE随温度变化的规律为
式中Eg0为禁带宽度。试导出VIO温漂即dVIO/dT的表达式。
(2)若已知IB随温度变化的规律为
试导出IIO温漂即dIIO/dT的表达式。
第5题
已知本征锗材料的电阻率随温度T的变化可列表如下：
T(K) | 385 | 458 | 556 | 714 |
ρ(Ω·cm) | 0.028 | 0.0061 | 0.0013 | 0.00027 |
假设Eg与温度T无关，电子和空穴的迁移率μn、μp均按
号变化，求锗的禁带宽度Eg。
第6题
由一块本征半导体锗，测得如下数据：
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关，空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
第7题
第8题
第9题
第10题
已知微带介质基片的εr=9.6，h=0.8mm，t=0，分别求出特性阻抗为50Ω和75Ω时的导带宽度，若其他条件不变，只是t=0.01mm，试求导带的有效宽度；并当f=6GHz时，其相速与波导波长各为多少。
第11题
Ge的导带与价带之间的能隙Eg=0.72eV，若用Ge来探测γ射线，①吸收1个由137Cs发出的能量为662keV的光子，能把Ge的多少个价带电子激发到导带？②若上面算得的电子数为n，则其统计涨落为
