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（请给出正确答案）
(1)若已知发射结电压VBE随温度变化的规律为
式中Eg0为禁带宽度。试导出VIO温漂即dVIO/dT的表达式。
(2)若已知IB随温度变化的规律为
试导出IIO温漂即dIIO/dT的表达式。
答案
更多“（1)若已知发射结电压VBE随温度变化的规律为 式中Eg0为禁带宽度。试导出VIO温漂即dVIO/dT的表达式。 （2)若”相关的问题
第2题
A.正确
B.错误
第6题
当温度升高时，三极管的Icbo、β增加，Vbe减小。()
A.错误
B.正确
第7题
电路如图所示，其中Vcc=15V，Rb1=10KΩ，Rb2=2.5KΩ，Rc=2KΩ，Re=750Ω，RL=1.5KΩ，β=150，VBE=15V，电压放大倍数Av为()。
A.6.7
B.-6.7
C.-9.8
第8题
A.μ= 2 × 10 - 3 kg·mol – 1，气体为氢气
B.μ= 32 × 10 - 3 kg·mol – 1，气体为氧气
C.μ= 1 × 10 - 3 kg·mol – 1，气体为氢气
D.μ= 16 × 10 - 3 kg·mol – 1，气体为氧气
第9题
电路如图所示，其中Vcc=12V，Rb1=60KΩ，Rb2=20KΩ，Rc=6KΩ，Rs=200Ω，Re1=300Ω，Re2=2.7KΩ，RL=6KΩ，β=50，VBE=0.6V，电容C1，C2，Ce都足够大，电压放大倍数Av为()。
A.8.7
B.-8.7
C.-10
