第1题
某双端输入、双端输出低噪声放大器,电路如图所示,其中L1、L2(L'1、L'2)与场效应管M1(M'1)的电容Cgs串联谐振,构成与信号源阻抗RS匹配的输入网络。电容C1(C'1)是隔直流电容,输出负载是L3CL(L'3C'L)并联谐振回路。已知,场效应管的特征角频率ωT=30×109rad/s,工作频率为ω0=5×109rad/s,两场效应管电容Cgs=0.5pF,输出回路线圈L3=6.5nH,Q=5,信号源内阻RS=50Ω。要求:
第2题
图题7.30所示场效应管调频电路中,设振荡器频率f0=70MHz;场效应管跨导gm=1~2mS,线性可变;C的容抗等于R的10倍;若C0=25pF,试求可用的最大频偏。
第4题
绝缘栅场效应管组成图1-15(a)所示,图1-15(b)为其输出特性曲线。试问:
(1) 图1-15(a)中VT管为哪种导电沟道的场效应管?
(2) 要使电路正常工作,VT管应为何种类型的场效应管?
(3) 在图1-15(b)所示曲线和参数条件下,电路能否正常工作?此时VT管处在何种工作状态?
(4) 若将图1-15(a)中VT管改为同样沟道的另一种类型管,电路应作何改动才能正常工作?
第6题
下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试:
第9题
A.错误
B.正确
第10题
有一场效应管电抗管电路,对10MHz主振器进行调频,得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线性变化范围为0~0.628mS,取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。
第11题
图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。