有一场效应管电抗管电路,对10MHz主振器进行调频,得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线
有一场效应管电抗管电路,对10MHz主振器进行调频,得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线性变化范围为0~0.628mS,取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。
有一场效应管电抗管电路,对10MHz主振器进行调频,得到±100kHz的频率变化。设场效应管的跨导gm在栅压控制下线性变化范围为0~0.628mS,取电阻R为电容C的容抗的1/10。试计算振荡器回路的电感和电容。
第1题
设一个位(即所变换结果的最大值为1999)双积分A/D变换电路的时钟频率为10MHz,则变换器相邻两次变换的时间间隔应大于______。
(A) 0.2ms
(B) 0.4ms
(C) 0.35ms
(D) 3.5us
第2题
交直交电流型变频器中间直流电路的储能元件是一个大电抗()。
A、正确
B、错误
第4题
用增强硅靶摄像管摄取图像信息,其光电流灵敏度为2×105μA/lm,负载电阻RL=100kΩ;用场效应管作前置放大器,其跨导为1.75mA/V,总分布电容C=23pF。若工作在室温300K下入射光通量的平均值为1.5×10-6lm,设上限频率为10MHz,求信噪比S/N为多少dB?
第5题
结型场效应管的伏安特性及对应的混频器电原理图如图所示,其中设本振电压为vLO(t)=VLOcosωLOt,满足线性时变条件。求:
第9题
第10题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第11题
A.错误
B.正确