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[单选题]

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极,门极,阳极

B.源极,栅极,漏极

C.发射极,栅极,集电极

D.发射极,基极,集电极

答案
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更多“绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。”相关的问题

第1题

在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是NPN 型锗管。()
在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是NPN 型锗管。()

A.错误

B.正确

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第2题

在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、 3.5V、6V,则这只三极管属于()。

A.硅PNP型

B.硅NPN型

C.锗PNP型

D.锗NPN型

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第3题

国产CT型晶闸管命名中字母C表示()。

A.N型硅材料

B.三个电极

C.可控整流元件

D.晶闸管

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第4题

()是电压控制型电力电子器件。

A.P-MOSFET、MCT

B.TRIAC、GTR

C.GTO、IGBT

D.PowerDiode、SITH

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第5题

门极可关断晶闸管可以用()表示。
门极可关断晶闸管可以用()表示。

A、SCR

B、GTO

C、LTT

D、IGBT

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第6题

某城市的最大设计污水量Qmax=0.25m³/s,K总=1.5,若栅前水深h=0.5m,过栅流速取v=0.9m/s,栅条间隙e=30mm,格栅安装倾角α=45°,取栅条宽度S=0.01m,栅槽宽度为()m。

A.0.63

B.0.4

C.1.2

D.0.15

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第7题

下列不属于直线型检测装置的是()。

A.感应同步器

B.光栅

C.磁栅

D.旋转变压器

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第8题

P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()

A.正确

B.错误

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第9题

氧化还原电位滴定一般用铂电极作指示电极。()
氧化还原电位滴定一般用铂电极作指示电极。()

A、错误

B、正确

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第10题

底部梯度电极系的成对电极在不成对电极之上。()
底部梯度电极系的成对电极在不成对电极之上。()

A、正确

B、错误

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第11题

用AgCl晶体膜离子选择性电极测定氯离子时如以饱和甘汞电极作为参比电极,应选用的盐桥为()

A.KNO₃

B.KCl

C.KBr

D.KI

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