扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的。（)

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发布时间：2022-12-05

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第1题

下列哪一项不是半导体应变计的主要优点（)

A.耗电省

B.灵敏度高

C.准确度高

D.体积小

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第2题

下面那一项不是半导体应变计的优点（)

A.灵明度高

B.体积小，耗电省

C.横向效应小

D.机械滞后小

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第3题

p型半导体与n型半导体接触表成p—n结，n型的电子能否无限地向p型扩散？

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第4题

P型半导体与N型半导体接触后形成P-N结，N型的电子能否无限地向P型扩散？

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第5题

p型半导体和n型半导体接触后形成pn结，n型区的电子能否无阻地向p型区扩散？

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第6题

应变计的动态特性测量按正弦规律变化的应变波形时，应变计反应的波幅将高于真实应变波。（)

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第7题

与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有许多显著的特点，GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__

______________ 高，使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收，电池可采用薄层结构，相对节约材料是其中之一。

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第8题

香农提出了两种隐蔽明文信息中冗余度的基本技术：混乱和扩散，其中扩散是通过将______分散到______中使之分散

开来。产生扩散最简单的方法是通过______。

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第9题

声波以vs=2×103m／s的速度在n型半导体中传播，产生形变势效应，使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec，如

声波以v_s=2×10³m/s的速度在n型半导体中传播，产生形变势效应，使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△E_c，如图所示。不在能谷B和D处的电子就要往能谷底运动。设在正弦波的势能保持不变的情况下电子从A运动到B，或从C运动到B的平均速度的绝对值为V_e=1.2×10³m/s，载流子浓度n=5×10⁶/cm³。问载流子处在波前(如A到B)的平均浓度是多少？占总体的百分比是多少？