p型半导体与n型半导体接触表成p—n结，n型的电子能否无限地向p型扩散？

第1题

当半导体形成pn结时，p型中的空穴（或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型（或p型)中去呢？

当半导体形成pn结时，p型中的空穴(或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型(或p型)中去呢？

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第2题

对半导体而言，其正确的说法是（）。

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电

B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电

C.P型半导体和N型半导体本身都不带电

D.P、N型半导体都带负电

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第3题

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体( )。

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体（)。

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体()。

A、正确

B、错误

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第4题

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（)

A.正确

B.错误

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第5题

P型半导体中多数载流子是()，N型半导体中()载流子是空穴。

A.空穴

B.自由电子

C.少数

D.多数

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第6题

本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。（)

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第7题

本征半导体中掺入微量()价元素，空穴依度椅大大増加，交神半导体称为()型半导体。

A.三

B.五

C.N

D.P

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第8题

在P型半导体中，（)为多数载流子。在N型半导体中，（)为多数载流子。

A、空穴，空穴

B、空穴，电子

C、电子，电子

D、电子，空穴

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第9题

设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其

设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10^-6W/cm²的光照射时，其吸收系数α=10²/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10^-4s，b=μ_n/μ_p=10，μ_n=10000cm²/(V·s)，求对应的量子产额。

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第10题

水平地放置一片矩形N型半导体片，使其长边沿东西方向，再自西向东通入电流。当在片上加以竖直向上的磁场时，片

内霍尔电场的方向如何？如果换用P型半导体片，而电流和磁场方向不变，片内霍尔电场的方向又如何？

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第11题

P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得的。()

P型半导体是在本征半导体中掺入五价元素获得的。（)

A.错误

B.正确

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