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[主观题]

与硅太阳电池相比,GaAs太阳电池具有许多显著的特点,GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__

______________ 高,使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收,电池可采用薄层结构,相对节约材料是其中之一。

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更多“与硅太阳电池相比,GaAs太阳电池具有许多显著的特点,GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__”相关的问题

第1题

用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与()。

A.非晶硅

B. GaAs

C. InP

D. CdTe

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第2题

下列不是半导体异质结太阳电池的是()

A.硫化亚铜一硫化镉太阳电池

B. 蹄化镉太阳电池

C. 砷化稼太阳电池

D. 非晶硅薄膜太阳电池

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第3题

光电转换实现的基本装置是()。

A.硅料

B. 硅片

C. 太阳电池

D. 太阳电池方阵

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第4题

太阳电池组件种类繁多,根据太阳电池片的类型可分为:单晶硅组件、多晶硅组件、砷化镓组件、非
晶硅薄膜电池组件等,其中________________约占市场的80%-90%。

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第5题

商用太阳电池中实际应用的主要为()。

A.化合物晶体电池

B. 化合物薄膜电池

C. 硅晶电池

D. 硅薄膜电池

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第6题

有单个面积为5cm2的硅太阳电池若干,需作一有12V、0.5A的太阳能电源,问需用这种硅光电池多少只?

有单个面积为5cm2的硅太阳电池若干,需作一有12V、0.5A的太阳能电源,问需用这种硅光电池多少只?

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第7题

常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是()。

A.扩散法

B. 离子注入法

C. 合金法

D. 分离法

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第8题

硅太阳电池的发展经历了一个革新阶段,能量转换效率得到明显提高的时期是()。

A.50年代初

B. 60年代初

C. 70年代初

D. 80年代初

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第9题

要提高微晶硅太阳电池性能,核心技术是() ,可使光电转换效率超过20%。

A.陷光技术

B. 掺杂工艺

C. 大面积均匀性技术

D. 抗光致衰减技术

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第10题

太阳电池前面和背面的电极和接触,以及材料本身具有一定的电阻率,基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻,它们的总效果可表示为()。

A.横向电阻

B. 并联电阻

C. 串联电阻

D. 体电阻

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第11题

关于染料敏化太阳电池中的纳米晶多孔薄膜要求错误的是()。

A.高的比表面积和大量的孔隙

B. 尽可能多的吸附染料

C. 颗粒越大越好

D. 最大限度的与电解质紧密接触

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