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（请给出正确答案）
图8.15所示电路中，与非门输出的高电位为3.6V，低电位为0V，其他参数如图中所示。
试求：
(1) 与非门输出的高电位和低电位能否使晶体管饱和和截止？
(2) 若晶体管截止的条件为UBE≤0V，使晶体管截止的输入电压Ui的最大值是多少？
(3) Ui大于多少时，晶体管才能导通？
(4) 使晶体管处于临界饱和状态时，Ui是多少？
(5) 晶体管处于放大状态时，Ui是多少？
(6) 使晶体管饱和时，Ui的最小值是多少？
答案
更多“图8.15所示电路中，与非门输出的高电位为3.6V，低电位为0V，其他参数如图中所示。 试求： （1) 与非门输出的”相关的问题
第1题
第2题
在图4所示的电路中，门G1是TTL集电极开路与非门，饱和时输出VO=0.3V；门G2是普通TTL与非门，其外特性如图5所示；三极管VT饱和时的VCES=0.3V，VBE=0.7V；A、B是输入信号，波形如图6所示。
第3题
在图10.3.7所示TTL与非门构成的单稳态触发器中，若输入v1为宽度20μs的脉冲，试画出vO1、vI2、vO3、vO的波形，计算输出脉冲宽度。为使该电路能正常工作，对输入脉冲有何要求。
第4题
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第5题
试计算74S00与非门接成如图2．3．1所示电路时的扇出数。已知输出电流IOH=-1 mA，IOL=20 mA。输入电流IIH=0．05 mA，IIL=-2 mA。若将图2．3．1中的与非门换成或非门74S02，参数不变，试计算或非门的扇出数。
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第7题
在图19所示的电路中，为保证VOL=0.2V时，V12≤0.5V，试计算R的最大允许值。电路所用的二输入端TTL与非门74H00的电路结构如图20所示。
第8题
如题8.15图所示的复合系统，其中两个二阶子系统的动态方程为对子系统a
ya(k)=Caxa(k)，Ca=[1 0]
对子系统b
xb(k+1)=Abxb(k)+Bbfb(k)，
yb(k)=Cbxb(k)，Cb=[0 1]
求该复合系统的状态方程和输出方程。
第9题
第10题
电路如图L3-13(a)所示，门G1、G2均为CMOS与非门，输入信号v1的波形如图L3-13(b)所示，且有R1C1时间常数大于8倍v1的波形宽度tw1，当门G1输出低电平时其输出电阻RD与二极管D导通电阻RON之和很小，满足(RO+RON)C1小于8倍v1的波形宽度tw1，试画出输出端vO的波形。
第11题
电路如下图(a)所示，其中G0，G1，G2，…，GN为TTL同系列与非门，它们的输入特性和输出特性分别如下图(b)、(c)和(d)所示。受功耗的限制，规定高电平输出电流不能超过400μA。已知G0的输出电平满足VoH≥3.2V，VoL≤0.25V。问G0最多可以驱动多少个负载门？
