在图4所示的电路中,门G1是TTL集电极开路与非门,饱和时输出VO=0.3V;门G2是普通TTL与非门,其外特性如图5所示;
在图4所示的电路中,门G1是TTL集电极开路与非门,饱和时输出VO=0.3V;门G2是普通TTL与非门,其外特性如图5所示;三极管VT饱和时的VCES=0.3V,VBE=0.7V;A、B是输入信号,波形如图6所示。
在图4所示的电路中,门G1是TTL集电极开路与非门,饱和时输出VO=0.3V;门G2是普通TTL与非门,其外特性如图5所示;三极管VT饱和时的VCES=0.3V,VBE=0.7V;A、B是输入信号,波形如图6所示。
第1题
在图10.17所示的环形振荡器电路中,若给定R=200Ω,Rs=100Ω,C=0.01μF,G1、G2和G3为74系列TTL门电路(VOH=3V,VOL≈0V,VTH=1.3V),试计算电路的振荡频率。
第2题
电路如下图(a)所示,其中G0,G1,G2,…,GN为TTL同系列与非门,它们的输入特性和输出特性分别如下图(b)、(c)和(d)所示。受功耗的限制,规定高电平输出电流不能超过400μA。已知G0的输出电平满足VoH≥3.2V,VoL≤0.25V。问G0最多可以驱动多少个负载门?
第3题
图2.3.15(a)、(b)所示的逻辑门电路均为+5 V电源供电,在下列两种情况下,分别讨论图2.3.15(a)、(b)的输出各是什么? (1)两个电路均为CMOS门;
(2)两个电路均为74LS系列TTL门,VIL(max)=0.8 V,VIH(min)=2 V。
第4题
图10.41所示电路,电路起始状态为门G1输出高电平门G2输出低电平(Q=0),电容电压uc1=uc2=0,试分析该电路工作过程,画出Q,电位变化波形图。
第5题
在图19所示的电路中,为保证VOL=0.2V时,V12≤0.5V,试计算R的最大允许值。电路所用的二输入端TTL与非门74H00的电路结构如图20所示。
第6题
图所示稳态电路中,G1=1S,G2=2S,C=1F,L=1/4H,,试计算电流iL反映有效值的电流表读数I,电路中的平均功率P及电感器在t=5π/8s时的储能wL(5π/8s)。
第7题
在图4-76所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb'=50Ω,rb'e=1.3kΩ,Cb'e=2pF,fT=300MHz。试求高频电压传递函数Avs(s)=Vo(s)/Vs(s)的表示式。
第8题
在图10.3.7所示TTL与非门构成的单稳态触发器中,若输入v1为宽度20μs的脉冲,试画出vO1、vI2、vO3、vO的波形,计算输出脉冲宽度。为使该电路能正常工作,对输入脉冲有何要求。
第10题
第11题