在室温下n型锗的霍耳系数RH=100cm3/c,求载流子浓度.
在室温下n型锗的霍耳系数RH=100cm3/c,求载流子浓度.
在室温下n型锗的霍耳系数RH=100cm3/c,求载流子浓度.
第1题
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数,式中np和nn分别表示空穴或电子的浓度.
第2题
空穴浓度为1016cm-3的p型锗,室温下与金属连接,通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射)。
第3题
设沿位错每隔长度有一个割阶,外力场在滑移面滑移方向的分切应力为,求位错在室温(约300K)下的滑移速度。b=0.nm,自扩散系数。
第4题
第6题
A.霍耳传感器是根据物质的霍耳效应制作的
B.通过霍耳传感器的电流越大,霍耳电势越小
C.霍耳电势与磁感应强度成正比
D.根据霍耳电势的大小,可以测量磁场
第7题
霍耳传感器是根据物质的霍耳效应制作的,根据霍耳电势的大小,可以测量磁场的磁感应强度。 ( )
第8题
A.错误
B.正确
第11题
有一在室温下工作的光导型PbS探测器,其内阻范围为100kΩ~200kΩ,信号的频率范围为0~1000Hz(即△f=1000Hz,f0=500Hz),Vsi为50μV~500μV,试为其设计一低噪声前置放大器,要求:Avs≥20,等效输入噪声Eni≤10μV(保证)