请输入或粘贴题目内容
搜题
拍照、语音搜题，请扫码下载APP
题目内容
（请给出正确答案）
考虑一个长沟道MOSFET，其中L=3μm，Z=21μm，Na=5×1015cm-3
Co=1.5×10-7F/cm2，VTH=1.5V，求VG=4V时的IDS．
若用常数比例因子将沟道收缩到1μm，求按比例缩小后的下列参数：Z、Co、IDS和fC0．
答案
更多“考虑一个长沟道MOSFET，其中L=3μm，Z=21μm，Na=5×1015cm-3 Co=1.5×10-7F/cm2，VTH=1.5V，求VG=4V时的IDS． 若用”相关的问题
第1题
在图4-62所示电路中，已知(W/l)10=1.5/0.3，ID9=2ID5，ID5=ID6=360μA，ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox，|VGS(th)|均相同，沟道长度调制效应忽略不计。
第2题
考虑一个由电感L，电容C和电源E串联组成的简单闭合电路，其中E=E0sinωt．试证当
时，将发生共振现象，且当t→∞时，电位差v(t)变得无界．
第3题
试设计一个内调焦望远系统，其技术要求如下：
1)物镜的理论最小分辨角3.5"。
2)出瞳直径2mm。
3)物镜筒长缩短系数θ=L/f=0.65。
4)物镜筒长L=260mm。
5)物方视场角2ω=2.5°。
6)望远物镜工作距离l'F=120mm。
试求：
第4题
考虑一个矩形波导，它在x方向上为无限长，宽(y轴方向)2cm，长1cm，管壁是金属的。
(1)B、E分量在管壁处要满足的边界条件是什么？
(2)写出描述最低模式的电场E和磁场曰的波动方程；(提示：最低模的电场只有z分量)
(3)对可传播的最低模、写出其相速和群速；
(4)可传播的波分为两种波型，这两种波型各是什么？在物理本质上它们有何区别？
第5题
一风动设备系统如图所示。贮气筒的工作压强p=686kN/m2(表压强)已知管径d=0.075m，管长L=100m，管路中有7个弯头(ξ弯=0.2)，三个三通(ξ三通=0.3)，两个阀门(ξ阀门=0.3)，一个活结头(ξ接=1.5)。管道中流动处于紊流阻力平方区，其沿程阻力系数λ=0.019/d1/3(d以米计)，忽略沿管长的温度变化，空气的重度γa=77N/m3，问：
第6题
一MOSFET组成的差分放大器如图4-56所示，已知ISS=25μA，VGS(th)=1V，W=120μm，l=6μm，μnCox=20μA/V2，试求VGSQ、gm和|VID|max。
第7题
第8题
已知MOSFET的下列参数：L=10μm，Z=300μm，μp=230cm2/(V·s)和C0=2.9×10-8F/cm2．如果VTH=-3.1V．计算VG=-4V，和VG=-8V时的饱和漏电流IDS．
第9题
如下图所示的三能级Q开关固体激光器，长度l为10cm，横截面A为1cm2的激光工作物质，置于L=30cm长的谐振腔内，掺杂离子浓度为1.58×1019/cm3，在694.3nm处的吸收截面σ12=1.27×10-20cm2，泵浦激励产生的激光上能级(E2)起始集居数密度n2=1019/cm3，忽略E3能级的集居数密度，即n3≈0。用中心波长λ0=450nm的光泵浦激励，其中90%的被泵浦离子从E3弛豫到E2，E2的自发辐射寿命为3ms，激光介质折射率η=1.78，电光晶体折射率ηs=2.35，Q开关长度ls=8cm，反射镜参数为r1=0.95，T1=0；r2=0.7，T2=0.3，激光介质两端面损耗均为3%，Q开关每个端面损耗为5%，Q开关打开后的吸收损耗率(1-Ts)为2%，能级简并度为f1=4，f2=2。试计算：
第10题
第11题
(1)用多光束叠加的方法求再生放大器的增益G=I(l)／I0； (2)求v=vc时再生放大器的增益Gmax； (3)求再生放大器的带宽δv； (4)求再生放大器正常工作的r值的范围； (5)入射光频率v在vc附近变化时增益呈波动变化，求最大值和最小值之比Gmax／Gmin。
